Phosphorbeschichtete Siliziumsensoren sind als kostengünstige Alternative zu InGaAs-Sensoren (Indiumgalliumarsenid) konzipiert und bieten eine Abdeckung im Bereich von 1495-1595 nm, mit Schwerpunkt bei 1550 nm. Diese Technologie wird zunehmend in der optischen Kommunikation und anderen Anwendungen eingesetzt, bei denen eine präzise Überwachung von Signalen oder Materialien in diesem speziellen Wellenlängenbereich erforderlich ist. Dazu gehören Strahlprofilmessgeräte, Analyse, Ortung und Ausrichtung oder Standard-Bildgebungsanwendungen. Diese phosphorbeschichteten Sensoren bieten einen engeren Wellenlängenbereich, aber eine hervorragende Effizienz im Bereich von 1550 nm, so dass sie sich eher für Telekommunikations- und verwandte Aufgaben eignen als für breitbandige Bildgebungsanwendungen. Diese Kameras benötigen ein Bildverarbeitungsobjektiv, das speziell für diesen Wellenlängenbereich beschichtet ist. Zur Steigerung der Abbildungsleistung kann das System mit Filtern ergänzt werden, z. B. mit einem Bandpassfilter für 1550 nm, einem Langpassfilter für das NIR oder Beleuchtungsquellen für 1550 nm.