Free-Space-Fotodetektor (Si) mit Vorspannung, 200 - 1100 nm

Beschreibung Produktfamilie

• Kompaktes Design für einfache Systemintegration
• Si- oder InGaAs-Detektoren für 200 bis 1700 nm
• Mit Vorspannung oder verstärkt

Free-Space-Fotodetektormodule werden mit verstärkter Si-Diode, mit Si-Diode mit Vorspannung oder mit InGaAs-Hochgeschwindigkeitsdiode angeboten. Der abgedeckte Bereich erstreckt sich über UV, VIS und NIR bis SWIR (200 - 1700 nm). Die Detektoren ermöglichen schnelle Anstiegszeiten und Bandbreiten für die sofortige Detektion von gepulsten Lasern, die Si-Version bietet eine Anstiegszeit von 1 ns und Bandbreiten bis 350 MHz, die InGaAs-Detektoren bieten eine Anstiegszeit von 350 ps und eine Bandbreite von 5 GHz. Die verstärkten Si-Detektoren bieten Anstiegszeiten von 10 - 35 ns und eine fest eingebaute Verstärkung, der rauscharme Transimpedanzverstärker ermöglicht die Messung von schwachen Signalen oder Signalen mit geringer Leistung bis zum Femtowattbereich. Free-Space-Fotodetektormodule haben eine kompakte Größe für eine einfache Integration in platzbeschränkte Systeme, ein M4-Gewinde zur Befestigung auf Stangen und eine abnehmbare Optikhalterung für Optiken mit 1“ Durchmesser für die Integration von Filtern und Linsen. Die Module eignen sich ideal für die Erfassung von schnell gepulsten Lasern, modulierten CW-Quellen und Anwendungen, für die eine freie optische Detektion benötigt wird, wie z. B. LiDAR.

Bitte beachten Sie: Die Si- und InGaAs-Fotodetektoren mit Vorspannung können mit 12-V-Batterie betrieben werden. Die verstärkten Si-Module benötigen eine Stromversorgung mit ±12 V DC (#29-519), die separat verkauft wird. Bei der Messung von Hochgeschwindigkeitssignalen wird ein Endwiderstand mit 50 Ω empfohlen.