InGaAs-Fotodiode, 3 mm Durchm., TO-5-Gehäuse

• Ansprechempfindlichkeit von 900 nm bis 1700 nm
• Kleine Flächen (Hochgeschwindigkeit) und große Flächen
• Einzel- und Multimodenfasereinkopplung
• Segmentierte InGaAs-Fotodioden sind ebenfalls verfügbar

InGaAs-Fotodioden haben ein hervorragendes Ansprechverhalten von 900 nm bis 1700 nm und aktive Flächen mit Größen zwischen 0,07 und 3,0 mm. Fotodioden mit aktiven Flächen unter 1 mm haben eine geringe Kapazität, einen geringen Dunkelstrom und ein hohes Ansprechvermögen von 1100 bis 1620 nm für Datacom- und Telekommunikationsanwendungen mit hoher Geschwindigkeit. Fotodioden mit großen aktiven Flächen von 1 mm oder mehr bieten geringes Rauschen und hohe Shunt-Widerstände, die hohe Empfindlichkeit für schwache Signale ermöglichen. InGaAs-Fotodioden werden in isolierten TO-46-, TO-18- oder TO-5-Gehäusen angeboten, entweder mit Kugellinse oder beidseitig AR-beschichtetem Fenster. Die Fotodioden sind ideal für viele Forschungs- und OEM-Anwendung wie z. B. die IR-Laserausrichtung, die medizinische Diagnose oder chemische Analyse.

Bitte beachten Sie: Aufgrund von Ungleichmäßigkeiten am Rand der Fotodiode, die zu einem Abfall der Detektorempfindlichkeit führen können, wird eine Fokussierlinse oder eine Lochblende empfohlen, die für eine Zentrierung des einfallenden Lichts sorgt.