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LightSmyth™ Nanostrukturiertes Silizium (linear) von Coherent®, 855 nm, 200 nm Rillentiefe, 12,5 mm quadratisch

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Spezifikationen

Produktdetails

Modellnummer:
1304075
Typ:
Nanopatterned Silicon Stamp

Physikalische und mechanische Eigenschaften

Periode (nm):
855 ±42.75
Rillentiefe (nm):
200 ±30
Linienbreite (nm):
425 ±42.5
Größe (mm):
12.50 x 12.50
Freie Apertur CA (mm):
11.50 x 11.50
Aufbau:
RIE Grating
Länge (mm):
12.50
Dicke (mm):
0.68 ±0.05
Breite (mm):
12.50

Optische Eigenschaften

Beschichtung:
Uncoated
Substrat: Many glass manufacturers offer the same material characteristics under different trade names. Learn More
Single Crystal Silicon
Oberflächenqualität:
60-40 (within CA)

Konformität mit Standards

RoHS:
Konformitätszertifikat:

Produktdetails

  • Gerillte Oberflächen im Nanobereich
  • Verschiedene Rillenperioden und Rillentiefen
  • Ideal für nanophotonische Forschungsanwendungen

LightSmyth™ Nanostrukturiertes Silizium von Coherent® besteht aus nanostrukturierten Oberflächen auf einkristallinen Siliziumsubstraten. Durch reaktives Ionenätzen entstehen auf der Substratoberfläche lineare Rillen mit trapezförmigem Querschnitt, die konventionellen Gittern ähneln. Der Ätzprozess ermöglicht verschiedene Perioden- und Tiefenspezifikationen für die Rillen sowie komplexere Muster wie z. B. Gitter. LightSmyth™ Nanostrukturiertes Silizium von Coherent ist ideal für nanophotonische Forschungsanwendungen in den Bereichen Optik und Photonik, Biologie, Chemie, Nanoimprinten und Mikrofluidik.

Hinweis: II-VI Incorporated ist ab sofort Coherent Corp.

Technische Informationen

SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
 
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