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13mm2 DUV-Fotodiode, Metallgehäuse

DUV Photodiodes

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Produkt #84-983 3-4 Tage
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Spezifikationen

Produktdetails

Anstiegszeit (μs):
0.5 @ 0 V, 1 kΩ

Physikalische und mechanische Eigenschaften

Aktive Fläche (mm):
3.6 x 3.6
Aktive Fläche (mm2):
13.0

Optische Eigenschaften

Empfindlichkeitspeak (nm):
980.00

Elektronische Spezifikationen

Empfindlichkeit bei 980nm (A/W):
0.5
Ableitwiderstand @ V=-10mV (GΩ):
Minimum: 0.2
Typical: 0.8
Empfindlichkeit bei 633nm (A/W):
0.34
Empfindlichkeit bei 200nm (A/W):
0.12
Kapazität @ VR=0V (pF):
150.00
Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz1/2):
4.1 x 10-14 @ 0 V, 200nm
Max. Sperrspannung (V):
5.00

Anschlussmöglichkeiten Hardware & Schnittstelle

Stecker:
TO-5

Umwelt & Haltbarkeit

Betriebstemperatur (°C):
-20 to +60
Lagerungstemperatur (°C):
-55 to +80

Konformität mit Standards

RoHS:
Konformitätszertifikat:

Produktdetails

  • Ausgezeichnete UV-Empfindlichkeit
  • Hoher Ableitwiderstand
  • Niedrige Kapazität

Fotodioden für den tiefen UV-Bereich eignen sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, beispielsweise für die UV-Spektrophotometrie und Analyse- sowie Medizingeräte. Die Fotodioden haben eine erhöhte Empfindlichkeit von 200 – 400 nm und erkennen auch noch Wellenlängen von 190 nm. Die Detektoren haben ein Schutzfenster aus Quarzglas und ein Metall- oder Keramikgehäuse. Modelle mit reduzierter Empfindlichkeit im Nahinfrarotbereich sind ebenfalls erhältlich.

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Noise Equivalent Power (NEP)

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Photovoltaic Effect

Quantum Efficiency (QE)

Responsivity

RMS Noise

Shunt Resistance

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Spectral Response

I am trying to get a sample read out from a laser diode on an oscilloscope. I get a good pulse signal if I shine my keychain flashlight on the detector, but a very noisy signal from the diode itself. What could be causing the noise in this system?

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