Segmentierte InGaAs-Fotodioden

Segmentierte InGaAs-Fotodioden besitzen eine große aktive Fläche, die in vier individuelle Elemente unterteilt ist. Diese Elemente haben eine hohe Gleichförmigkeit der Antwort und geringes Übersprechen und bieten so eine hohe Präzision für Nullabgleiche und Zentrierungen. Die Fotodioden sind stabil über Zeit und Temperatur und haben eine Ansprechempfindlichkeit von 900 - 1700 nm mit besonders hoher Empfindlichkeit zwischen 1100 - 1629 nm. Segmentierte InGaAs-Fotodioden sind ideal geeignet für Positionsdetektion, Strahlausrichtung und Strahlprofilmessung im nahinfraroten Spektrum. Jede Fotodiode besitzt ein isoliertes TO-5- oder TO-8-Gehäuse mit einem antireflexbeschichteten Fenster.